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          意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世!為下一代電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器量身定制

          • 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí),意法半導(dǎo)體還針對(duì)電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示:“意法半導(dǎo)體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù),推動(dòng)電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
          • 關(guān)鍵字: STPOWER  SiC  MOSFET  

          東芝第3代SiC肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員,其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品,為其面向太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車充電站和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開(kāi)始提供該系列的十款新產(chǎn)品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品,其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢(shì)壘中使用新型金屬,有
          • 關(guān)鍵字: 東芝  SiC  肖特基勢(shì)壘二極管  工業(yè)電源  

          第4講:SiC的物理特性

          • 與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯,比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料,具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見(jiàn)表1。與Si相比,4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比,物理特性相似,但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異,4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢(shì)。此外,由
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  SiC  

          第5講:SiC的晶體缺陷

          • SiC晶體中存在各種缺陷,對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷,其中一些會(huì)影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(cuò)(SF)、以及刃位錯(cuò)(TED)、螺旋位錯(cuò)(TSD)、基面位錯(cuò)(BPD)和這些復(fù)合體的混合位錯(cuò)。就密度而言,最近質(zhì)量相對(duì)較好的SiC晶體中,微管是1?10個(gè)/cm2,位錯(cuò)的密度約為103~10?長(zhǎng)達(dá)個(gè)/cm2。至今,與Si相
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  SiC  

          6.6 kW車載電動(dòng)汽車充電器設(shè)計(jì)

          • 我們采用單全橋LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390(U60)是一種電流模式高級(jí)LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設(shè)備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設(shè)備,可以參考FAN7688的說(shuō)明。有關(guān)該零件的更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說(shuō)明。由于輸出電壓高(250?450 Vdc),同步整流器對(duì)整流器的幫助不大傳導(dǎo)損失。因此,我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。
          • 關(guān)鍵字: 車載電動(dòng)汽車充電器  NVHL060N090SC1  SiC   

          羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動(dòng)汽車品牌“極氪”3種主力車型

          • 8月29日上午,備受矚目的2024年武漢鐵人三項(xiàng)亞洲杯賽、2024年武漢全國(guó)鐵人三項(xiàng)冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國(guó)·武漢鐵人三項(xiàng)公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì)成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì)上,賽事組委會(huì)發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競(jìng)賽距離、競(jìng)賽日程、公開(kāi)賽標(biāo)志、賽事獎(jiǎng)牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長(zhǎng)洪旭艷,江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長(zhǎng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì);武漢市社會(huì)體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息;江夏區(qū)文化和旅游局(體育局)局長(zhǎng)繆璐進(jìn)行江夏區(qū)文旅推介,向社會(huì)各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC MOSFET  極氪  

          MCX C系列簡(jiǎn)介:使用高能效、高性價(jià)比的MCU提升設(shè)計(jì)

          • 恩智浦推出MCX C系列,進(jìn)一步豐富MCX微控制器產(chǎn)品組合。MCX C系列不僅為低成本應(yīng)用設(shè)計(jì),還具有高能效和可靠的性能,進(jìn)一步豐富整個(gè)MCX產(chǎn)品組合?;贏rm? Cortex?,高性價(jià)比、高能效秉承在MCU領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累,并著眼于未來(lái),恩智浦自豪宣布推出MCX C系列——一款高性價(jià)比、高能效的Cortex-M0+MCU,承諾長(zhǎng)達(dá)15年持續(xù)供貨,旨在助力8位和16位傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的升級(jí)換代。MCX C系列專為滿足入門級(jí)工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的需求而設(shè)計(jì),為廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景打開(kāi)了大門。無(wú)論是中小家用電器、家庭安全監(jiān)
          • 關(guān)鍵字: MCU  NXP  恩智浦  MCX C   微控制器  

          USB Type-C引腳信號(hào)及PCB布局布線介紹

          • USB Type-C是USB連接器系統(tǒng)的規(guī)范,在智能手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備上越來(lái)越受歡迎,并且能夠進(jìn)行電力傳輸和數(shù)據(jù)傳輸。與USB的早些產(chǎn)品不同,它也是可翻轉(zhuǎn)的 - 所以你不需要嘗試多次插入。01什么是USB-Type-CUSB-C是一種相對(duì)較新的標(biāo)準(zhǔn),旨在提供高達(dá)10Gb/s的高速數(shù)據(jù)傳輸以及高達(dá)100W的功率。這些功能可以使USB-C成為現(xiàn)代設(shè)備的真正通用連接標(biāo)準(zhǔn)。02功能介紹USB-C接口有三個(gè)主要功能:● 它有一個(gè)可翻轉(zhuǎn)的連接接口。接口的設(shè)計(jì)使插頭可以相對(duì)于插座翻轉(zhuǎn)?!?它支持USB 2.0、USB 3.
          • 關(guān)鍵字: Type-C  連接器  

          Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設(shè)計(jì),可將溫度降低30%,采用集成半有源橋,效率高達(dá)96%

          • 位于英國(guó)劍橋的電力電子技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN優(yōu)化參考設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)旨在解決電源中的復(fù)雜熱性能挑戰(zhàn)。這一備受期待的突破性開(kāi)發(fā)成果將提供其他設(shè)計(jì)中所未有的獨(dú)特功能和優(yōu)勢(shì)組合,必將徹底改變USB-C快速充電領(lǐng)域。 PSV-RDAD-65USB參考設(shè)計(jì)將Pulsiv OSMIUM技術(shù)與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的準(zhǔn)諧振反激變換器和高度優(yōu)化、超緊湊的磁性組件相結(jié)合。它能大幅降低工作溫度、盡量減小損耗并縮小尺寸,引領(lǐng)了一系列突破功率轉(zhuǎn)換現(xiàn)有邊界的設(shè)計(jì),旨在打造一個(gè)可持續(xù)的U
          • 關(guān)鍵字: Pulsiv  USB-C  半有源橋  

          新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

          • 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱,擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響,無(wú)法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉,此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目,項(xiàng)目總投資約2.23億元,2022年開(kāi)建,原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱,本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
          • 關(guān)鍵字: 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測(cè)  

          羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia)(展位號(hào):11號(hào)館D14)。屆時(shí),將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體,展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

          第三代半導(dǎo)體,距離頂流差了什么

          • 潮流就是即便你放棄了我,也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年,這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄,反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注:Yole 數(shù)據(jù)顯示,2026 年 GaN 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測(cè)是人算不如天算,第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了,市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛?新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動(dòng)力。新能源車的最大
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線

          • 7月22日,蘇州悉智科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“悉智科技”)宣布,其首批車規(guī)級(jí)功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示,此次下線的首批量產(chǎn)模塊,是悉智科技自研的高端電驅(qū)SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開(kāi)發(fā)上,悉智科技取得了顯著進(jìn)展,目前該產(chǎn)品已獲取到客戶的量產(chǎn)訂單,并會(huì)在今年四季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示,悉智科技自2022年1月1日正式運(yùn)營(yíng)以來(lái),始終專注于車規(guī)級(jí)功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn),致力于為智能電動(dòng)汽車、光儲(chǔ)新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前,該公司已在蘇州建成具
          • 關(guān)鍵字: 悉智科技  DCM封裝  8并  SiC  

          電動(dòng)汽車和光伏逆變器的下一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

          • 圖1 半導(dǎo)體對(duì)許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑,從社會(huì)發(fā)展的角度,我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小,清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是,擺脫化石燃料正被證明極其困難,向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來(lái)了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無(wú)論是生產(chǎn)要跟上快速擴(kuò)張的市場(chǎng)步伐,還是新解決方案努力達(dá)到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平,如果我們要讓化石燃料成為過(guò)去,這些難題都必須被克服。對(duì)于電動(dòng)汽車(EV)和太陽(yáng)能電池板等應(yīng)用,工程師面臨著更多的挑戰(zhàn),因?yàn)槊舾械碾娮釉仨氃趷毫拥沫h(huán)境中持續(xù)可靠地運(yùn)
          • 關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車  光伏逆變器  SiC  

          碳化硅模塊在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用

          • 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開(kāi)關(guān),具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì)。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用的理想之選。
          • 關(guān)鍵字: 202407  太陽(yáng)能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  
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